在光泵浦外腔面发射激光器中,分别用Cr 4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜SESAM作为可饱和吸收介质,获得了稳定的调Q脉冲输出。使用Cr 4+∶YAG晶体时,调Q脉冲的宽度为10 μs,脉冲重复频率为26.3 kHz。在相同的脉冲重复频率下,用半导体可饱和吸收镜所获得的调Q脉冲宽度为8 μs。基于外腔面发射激光器中增益芯片的量子结构,以及Cr 4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜各自的时间特性,分析讨论了两种不同的可饱和吸收介质作用下,外腔面发射激光器中调Q脉冲的形成过程,初步清晰了外腔面发射激光器这一特殊种类的激光器中与调Q过程相关的物理图像。

光纤激光器以其独特的优势得到快速发展, 其应用范围已经扩展到工业加工、****、医疗等领域。综述了连续、脉冲掺Yb3+双包层光纤激光器的国内外研究进展, 介绍了利用能承受高功率的合束器、光纤光栅的全光纤激光器, 利用种子光主振荡光纤放大技术产生高光束质量、高平均功率、高峰值功率的脉冲光纤激光器。分析了影响光纤激光器功率提高的因素, 如光纤的损伤、非线性性效应、热效应。最后, 对掺Yb3+双包层光纤激光器的发展前景进行了展望。

采用脉冲抽运方式可显著改善光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的热效应，大幅度提升激光器的输出功率。用有限元方法数值求解瞬态传热方程，得到激光器中温度升高的最大值随抽运脉冲的变化规律。讨论了抽运光脉冲宽度范围的选择，分析了抽运脉冲重复频率对激光器中温度升高最大值的影响作用，对抽运脉冲的时间宽度进行了优化设计。结果表明，对于基质去除型的InGaAs量子阱垂直外腔面发射激光器，抽运光脉冲的宽度介于1~10 μs时，激光器中最大温升值即明显下降；同时，抽运脉冲的重复频率应限制在50 kHz以内，以满足脉冲间隔大于激光器热弛豫时间的要求，否则激光器中会产生热量的积聚，增加最大温升值。

A high power and good beam quality InGaAs/GaAs quantum well semiconductor disk laser at 1 015 nm wavelength is reported. The semiconductor wafer is grown in reverse order: substrate is on the window side and the distributed Bragg reflector is the last grown epilayer. Then the wafer is up-side-down and capillary bonded to a SiC heatsink, and the substrate is chemically etched. Because the total thickness of the substrate-removed structure is less than 10 μm, the thermal management of the laser is significantly improved, and the maximum output power over 0.6 W is obtained using a 3% output coupler and 3.2 W incident pump power. The M2 factors of 1.02 and 1.01 indicate a near-diffraction-limited beam quality. To further reveal the characteristics of this substrate-etched structure on the thermal management, the heat flux and the temperature distribution of the gain wafer are numerically analyzed, and the corresponding results are discussed.